Ηλεκτρικές ιδιότητες λεπτών υμενίων SiO2 που αναπτύχθηκαν με την τεχνική της ταχείας θερμικής οξείδωσης

Αποθηκεύτηκε σε:
Κύριος συγγραφέας: Πολυδωρόπουλος Α.
Συγγραφή απο Οργανισμό/Αρχή: ΔΠΘ - Τμ.ΗΜ & Μηχ.Υπολογιστών
Κατηγορία Υλικού: Διπλωματική Εργασία
Γλώσσα: Ελληνικά
Στοιχεία έκδοσης: Ξάνθη , 1996
Θέματα:
Γενική θεματική ενότητα:ΗΛΕΚΤΡΟΛΟΓΙΑ

ΤΕΕ-Δυτικής Ελλάδας - Βιβλιοθήκη Πάτρας

Ταξιθετικός Αριθμός: 621.315 Π